سامسونگ خبر از آغاز تولید انبوه جدیدترین نسل از تراشه های حافظه V-NAND این کمپانی داد. جدیدترین نسل چهارم تراشه های V-NAND سامسونگ از 64 لایه سلول حافظه تشکیل شده اند و دارای ظرفیت 256 گیگابیت (32 گیگابایت) هستند. تراشه های 64 لایه ای 256 گیگابیتی V-NAND جدید سامسونگ دارای نرخ تبادل 1 گیگابیت بر ثانیه هستند که در میان تراشه های NAND فعلی بالاترین سرعت را دارند. همچنین این تراشه ها با نیاز به تنها 500 میکرو ثانیه زمان، سریعترین زمان نوشتن پیج (موسوم به tPROG) را دارند که حدود چهار برابر سریعتر از تراشه های 10 نانومتری معمولی رایج و نزدیک به 1.5 برابر سریعتر از تراشه های 48…