آساپردازش: NAND و V-NAND هر دو نوعی از فلش مموری (Flash Memory) هستند که در دسته حافظههای غیرفرار ( Non-Volatile Memory) قرار میگیرند. این نوع از حافظه حتی در صورت قطع برق و نبود منبع تغذیه نیز اطلاعات موجود در خود را حفظ میکنند.
حافظههای فلش مموری قابلیت حمل بسیار بالا همراه با عمر و سرعت زیاد دارند. آنها قادر به ذخیرهسازی اطلاعات بالا هستند که از یک SSD و یا فلش مموری انتظار میرود. حافظههای فلش مموری در واقع آرایهای از سلولها است که قابلیت ذخیرهسازی یک یا چند بیت از دادههای صفر و یک دارد. هر سلول شامل چند Floating Gate Transistor است که شارژ الکتریکی را در خود نگه داری میکنند که در نهایت نشان دهنده نماد صفر و یا یک است. SLC (Single-Level Cells) یک بیت را ذخیره سازی میکند. MLC (Multi-Level Cells) دو بیت را ذخیره سازی میکند، TLC (Ttriple-Level Cells) سه بیت و در نهایت QLC (Quad-Level Cells) چهار بیت را ذخیره سازی میکنند. با استفاده از واحدهای ذخیرهسازی بیت بیشتر، هزینهها کاهش پیدا میکند.
در نهایت فلش مموریها به دو دسته کلی NOR و NAND تقسیم میشوند که به دروازههای منطقی (Logic Gate) اشاره دارند. حافظههای فلش که از NOR استفاده میکنند در زمینه خواندن، نوشتن و پاک کردن هر بایت به صورت جداگانه بهتر عمل میکنند و در زمینه سرعت خواندن و نوشتن نیز نسبت به حافظههای NAND بهتر هستند. البته فلش مموریهای NOR از لحاظ هزینه بسیار گران هستند و تراکم آنها نیز نسبت به NAND شصت درصد کمتر است. حافظههای NOR بیشتر در گوشیهای موبایل و برخی از لوازم جانبی کوچک مورد استفاده قرار میگیرد.
در حال حاضر تکنولوژی NAND، تکنولوژی اصلی در ساخت حافظههای فلش مموری و SSD است. صدها هزار سلول در کنار یکدگیر قرار گرفته و در هر بلاک نیز چند صفحه از آنها به صورت 128KB+ قرار میگیرند که در نهایت یک چیپ شامل از چند بلاک مختلف را تشکیل میدهند. مدیریت خاصی برای خواندن اطلاعات وجود دارد و دسترسی به دادهها صرفا به صورت صفحه به صفحه انجام میشوند. به همین علت NAND برای دسترسی اطلاعات به صورت ترتیبی فوقالعاده است. NAND پایداری بسیار بیشتری نسبت به NOR دارد که بر اساس گزارشها این پایداری به حتی ده برابر نیز میرسد. همچنین سرعت خواندن و نوشتن به خاطر شیوه خاص مدیریت دادهها در بلاک بسیار عالی است. در کنار آن به خاطر معماری بسیار عالی تولید چیپهای NAND نسبت به NOR بسیار ارزان است.
V-NAND و یا 3D V-NAND آخرین تکنولوژی در زمینه ساخت فلش مموری در دنیا است. در این تکنولوژی از سلولهای NAND به صورت سطح دو وجهی استفاده میشود. این سلولها به صورت عمودی در کنار یکدیگر قرار میگیرند که باعث شده از نماد V (Vertical یا عمودی) در نام این تکنولوژی استفاده شود. با توجه به استفاده از ساختار عمودی سلولها، SSDهای ساخته شده با استفاده از این تکنولوژی حجم بالاتری دارند، مصرف برق آنها کمتر و در نهایت هزینه تولید آنها نیز کاهش پیدا کرده است. از دیگر ویژگیهای V-NAND میتوان به سرعت دو برابر و ماندگاری دادهها تا ده برابر اشاره کرد. سامسونگ اولین بار با استفاده از V-NAND توانست اولین SSD با حجم دو ترابایت در جهان را به نام Samsung 850 Pro را به بازار عرضه کند.